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OTTIMIZZAZIONE DEI PARAMETRI ELETTRICI (CNTFET) IBD

EDIZIONI SAPIENZA
11 / 2025
9786209247026
Italiano

Sinopsis

Nel settore dell?elettronica la domanda di miglioramento tecnologico è in costante aumento. Fino ad ora, il silicio è stato il materiale più popolare per soddisfare le attuali richieste. Tuttavia, il silicio ha i suoi limiti, I circuiti integrati a base di silicio e la scalabilità della progettazione dei MOSFET in silicio affrontano problemi come l?effetto tunnel, l?impatto sullo spessore dell?ossido di gate e così via, che ha spinto allo sviluppo di materiali alternativi. Il crescente interesse accademico per i nanotubi di carbonio (CNT) come possibile nuovo tipo di materiale elettronico ha portato a progressi sostanziali nella fisica dei CNT, comprese le proprietà balistiche e non balistiche di trasporto degli elettroni. Il trasporto a bassa polarizzazione in un nanotubo può essere quasi balistico su distanze di diverse centinaia di nanometri. Per i transistor CNT non balistici sono stati creati modelli estesi a livello di circuito in grado di catturare fenomeni di trasporto di elettroni sia balistici che non balistici, inclusi effetti elastici, di diffusione fononica, di deformazione e di tunneling. L?effetto dello spessore dell?ossido di gate sulle prestazioni dei CNTFET non balistici è stato studiato nella nostra sezione dei risultati.

PVP
64,12