Portada

OPTYMALIZACJA PARAMETRóW ELEKTRYCZNYCH (CNTFET) IBD

WYDAWNICTWO NASZA WIEDZA
11 / 2025
9786209249587
Polaco

Sinopsis

W sektorze elektroniki zapotrzebowanie na doskonalenie technologiczne stale ro?nie. Do tej pory najpopularniejszym materia?em spe?niaj?cym obecne wymagania by? krzem. Jednak?e krzem ma swój w?asny zestaw ogranicze?, krzemowe uk?ady scalone i skalowanie konstrukcji krzemowych MOSFET-ów stawiaj? czo?a takim problemom, jak efekt tunelowania, wp?yw grubo?ci tlenku bramki itd., co doprowadzi?o do opracowania materia?ów alternatywnych. Rosn?ce zainteresowanie naukowców nanorurkami w?glowymi (CNT) jako mo?liwym nowym typem materia?u elektronicznego zaowocowa?o znacznym post?pem w fizyce CNT, w tym balistycznych i niebalistycznych w?a?ciwo?ciach transportu elektronów. Transport o niskim odchyleniu w nanorurce mo?e by? benearyczny balistyczny na odleg?o?ci kilkuset nanometrów. Dla niebalistycznych tranzystorów CNT stworzono rozszerzone modele na poziomie obwodu, które mog? wychwytywa? zarówno balistyczne, jak i niebalistyczne zjawiska transportu elektronów, w tym efekty spr??ysto?ci, rozpraszania fononów, odkszta?ce? i tunelowania. W naszej sekcji wyników zbadali?my wp?yw grubo?ci tlenku bramki na dzia?anie niebalistycznych CNTFET.

PVP
64,12