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UMA FERRAMENTA DE ESTRUTURA ELECTRONICA PARA PRINCIPIANTES IBD

EDIÇOES NOSSO CONHECIMENTO
10 / 2024
9786208186142
Portugués

Sinopsis

O condutor, semicondutor (band gap direto e indireto) e isolante desempenham um papel importante nas áreas de investigaçao de Física e Materiais. Quase todos os materiais possuem algum tipo de propriedade eletrónica. Realizamos o cálculo para estudar a estrutura de bandas e a Densidade de Estado (DoS) utilizando o código WIEN no Método da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Neste trabalho é realizado o cálculo da estrutura de bandas para o manganês (Mn), silício (Si) - band gap indirecto, índio fósforo (In-P) band gap directo e bromo (Br) que concordam estreitamente com os resultados experimentais disponíveis. Além disso, a partir do estudo da Densidade de Estado total e parcial do Mn, vSi, In-P e Br observa-se que os materiais sao Condutor, Semicondutor (gap de banda indireto e direto) e Isolador. Inicialmente a estrutura é otimizada com os parâmetros de rede existentes e as propriedades eletrónicas sao determinadas para a estrutura otimizada. O perfil da banda e os histogramas de DoS sugerem a mobilidade dos eletroes da banda de valência para a banda de conduçao. A lacuna de energia existente/nao existente entre a banda de valência e a banda de conduçao é explorada na natureza condutora dos materiais reportados.

PVP
63,41